Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки

Аннотация

Задачей исследований является разработка структуры и способа изготовления фотоэлемента, способного принимать излучение либо в ближней инфракрасной области спектра (1–1,4) мкм, либо в области (0,5–1,4) мкм. Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, основанного на двух контактах с барьером Шоттки Al-p-Si и Ti-p-Si, расположенных на противоположных сторонах Si пластины. Показано, что удаление нарушенного слоя на поверхности кремниевой пластины ведет к значительному увеличению напряжения холостого хода и тока короткого замыкания контакта Al-p-Si, расположенного на этой поверхности и освещаемого через кремниевую пластину.