Фотоэлемент, имеющий два контакта Al-p-Si c барьером Шоттки и омический силицидный контакт

Аннотация

Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования электрических и фотоэлектрических характеристик фотоэлемента, имеющего два непрозрачных контакта с барьером Шоттки Al-p-Si на одной стороне кремниевой пластины и омический силицидный контакт Ni₂Si-p-Si (или Pd₂Si-p-Si), расположенный на противоположной стороне пластины. Показано, что исследованный фотоэлемент может быть использован для преобразования энергии излучения в электрическую энергию при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра (0,8–1,4) мкм. Это свойство разработанного фотоэлемента позволит расширить его область применения. Фотоэлемент обладает простой структурой и технологией с временем его изготовления в интервале (2,5–3) часа.