Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки

Аннотация

Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания, и определена высота барьера Шоттки Вп контактов Pd-n-n+-GaAs фото- электрическим методом. Показано, что отжиг структур n-n+ GaAs-AuGe в воздухе при (200–210) С в течение 30 минут перед осаждением пленки Pd на n-слой GaAs приводит: к уменьшению на два порядка прямых Iпр и обратных токов Iобр (при V=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (241–233) пФ при обратных напряжениях (0,22–0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя диэлектрика на n-слое при отжиге структур n-n+-GaAs-AuGe в воздухе.