Элемент Холла, имеющий два контакта Al-p-Si с барьером Шоттки

Авторы

  • Рудиарий Борисович Бурлаков Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-172-60-65

Ключевые слова:

способ изготовления элемента Холла, кремний р-типа, контакты Al-p-Si с барьером Шоттки

Аннотация

Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств элемента Холла, имеющего два токовых контакта и два потенциальных холловских контакта на одной поверхности кремниевой пластины и два контакта Al-p-Si с барьером Шоттки на обратной поверхности пластины. Исследованный элемент Холла имеет простую технологию изготовления и обладает расширенными функциональными возможностями.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биография автора

Рудиарий Борисович Бурлаков, Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск

кандидат физико-математических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Общая, прикладная и медицинская физика».

Загрузки


Просмотров аннотации: 5

Опубликован

21.09.2020

Как цитировать

[1]
Бурлаков, Р.Б. 2020. Элемент Холла, имеющий два контакта Al-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 4(172) (сен. 2020), 60–65. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-172-60-65.

Выпуск

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Похожие статьи

Вы также можете начать расширеннвй поиск похожих статей для этой статьи.