Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки
DOI:
https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-61-65Ключевые слова:
способ изготовления фотоэлемента, кремний р-типа, контакты с барьером ШотткиАннотация
Задачей исследований является разработка структуры и способа изготовления фотоэлемента, способного принимать излучение либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9–,4) мкм, либо в области (0,5–1,4) мкм. Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования электрических и фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки, расположенных на противоположных сторонах Si пластины.
Скачивания
Данные скачивания пока недоступны.
Опубликован
04.10.2019
Как цитировать
[1]
Блесман, А.И., Бурлаков, Р.Б. и Полонянкин, Д.А. 2019. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 4(166) (окт. 2019), 61–65. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-61-65.
Выпуск
Раздел
Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы
Лицензия
Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)
