Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки
DOI:
https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-55-60Ключевые слова:
способ изготовления фотоэлемента, арсенид галлия n-типа, контакты с барьером ШотткиАннотация
Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания и определена высота барьера Шоттки Вп контактов Au-n-n+-GaAs фотоэлек- трическим методом. Показано, что отжиг структур n-n+-GaAs-AuGe в воздухе при (200–220) С в течение 30 минут перед осаждением пленки Au на n-слой
GaAs приводит: к уменьшению на два-три порядка прямых Iпр и обратных токов Iобр (при V=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (204–191) пФ при обратных напряжениях (0,22–0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия на n-слое при отжиге структур n-n+-GaAs-AuGe в воздухе.
Скачивания
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Лицензия
Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)
