Фотоэлемент, имеющий два контакта Ti-p-Si c барьером Шоттки и омический силицидный контакт NiSi-p-Si

Аннотация

Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, имеющего два контакта с барьером Шоттки Ti-p-Si на одной стороне кремниевой пластины и омический силицидный контакт NiSi-p-Si, расположенный на противоположной стороне пластины. Показано, что исследованный фотоэлемент может быть использован для преобразования энергии излучения в электрическую энергию при комнатной температуре в двух диапазонах: либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9–1,4) мкм, либо в области (0,5–1,4) мкм. Это свойство разработанного фотоэлемента позволит расширить его область применения. Фотоэлемент обладает простой структурой и технологией со временем его изготовления в интервале (2,5–3) часа.