Фотоэлементы на основе силицидных контактов PtSi-n-Si и PdSi-n-Si с барьером Шоттки

Аннотация

Задачей исследований является разработка структуры и способа изготовления фотоэлемента, способного принимать излучение либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9–1,4) мкм, либо в области (0,5–1,4) мкм. Рассмотрены способ изготовления и результаты исследования фотоэлектрических характеристик двухспектрального фотоэлемента, основанного на двух силицидных контактах с барьером Шоттки PtSi-n-Si (или PdSi-n-Si), расположенных на противоположных сторонах кремниевой пластины. Показано, что исследованный фотоэлемент может быть использован для преобразования энергии излучения в электрическую энергию при комнатной температуре в двух диапазонах: либо в ближней инфракрасной области спектра (0,9–1,4) мкм, либо в области (0,5–1,4) мкм. Это свойство разработанного фотоэлемента позволит расширить область его применения. Фотоэлемент обладает простой структурой и технологией с временем его изготовления в интервале (2,5–3) часа.