Новые материалы на основе системы InP-ZnS для полупроводниковых газоанализаторов

Авторы

  • Ираида Алексеевна Кировская Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0001-5926-8376
  • Роберт Владимирович Эккерт Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0003-4358-3421
  • Алиса Олеговна Эккерт Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0003-2452-1612
  • Елена Валерьевна Миронов Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Илья Юрьевич Уманский Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Денис Андреевич Блесман Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0003-2837-3469
  • Денис Андреевич Полонянкин Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0001-6799-3105
  • Лев Васильевич Колесников Кемеровский государственный университет, г. Кемерово
  • Екатерина Николаевна Копылова Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Владимир Борисович Гончаров Федеральный исследовательский центр Института катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск https://orcid.org/0000-0003-4575-1310

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-164-56-61

Ключевые слова:

твердые растворы, новые материалы, свойства новых материалов, закономерности и корреляции, полупроводниковые газоанализаторы

Аннотация

По разработанной методике, базирующейся на изотермической диффузии исходных бинарных соединений (InP, ZnS), их физических и физико- химических свойствах, получены твердые растворы различного состава ((InP)x(ZnS)1-x). Выполнены рентгенографические исследования, позволяющие аттестовать их как твердые растворы замещения со структурой сфалерита, а также исследования кислотно-основных свойств поверхностей (pH изоэлектрического состояния — pHизо). Установлены закономерности изменений с составом изученных (объемных и поверхностных) свойств,которые носят преимущественно плавный характер. Обнаружена корреляция между рентгеновской плотностью и силой кислотных центров (pHизо), что послужило основанием рекомендовать менее трудоемкий
путь поиска новых материалов для полупроводниковых газоанализаторов.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Ираида Алексеевна Кировская, Омский государственный технический университет, г. Омск

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Химическая технология»; руководитель научно-образовательного центра «Химические исследования» Омского государственного технического университета (ОмГТУ).

Роберт Владимирович Эккерт, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирант кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Алиса Олеговна Эккерт, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирантка кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Елена Валерьевна Миронов, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат химических наук, доцент кафедры «Химия» ОмГТУ.

Илья Юрьевич Уманский, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирант кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Денис Андреевич Блесман, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат технических наук, доцент (Россия), заведующий кафедрой «Физика»; директор научно-образовательного ресурсного центра «Нанотехнологии» ОмГТУ.

Денис Андреевич Полонянкин, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат педагогических наук, доцент кафедры «Физика» ОмГТУ.

Лев Васильевич Колесников, Кемеровский государственный университет, г. Кемерово

доктор физико- математических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Экспериментальная физика» Кемеровского государственного университета.

Екатерина Николаевна Копылова, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирантка кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Владимир Борисович Гончаров, Федеральный исследовательский центр Института катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск

доктор химических наук, ведущий научный сотрудник Федерального исследовательского центра Института катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск.

Загрузки


Просмотров аннотации: 8

Опубликован

30.04.2019

Как цитировать

[1]
Кировская, И.А., Эккерт, Р.В., Эккерт, А.О., Миронов, Е.В., Уманский, И.Ю., Блесман, Д.А., Полонянкин, Д.А., Колесников, Л.В., Копылова, Е.Н. и Гончаров, В.Б. 2019. Новые материалы на основе системы InP-ZnS для полупроводниковых газоанализаторов. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 2(164) (апр. 2019), 56–61. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-164-56-61.

Выпуск

№ 2(164) (2019)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa

Похожие статьи

Вы также можете начать расширеннвй поиск похожих статей для этой статьи.