Исследование активности поверхности полупроводников типа АIIIBV. Возможности их использования в сенсорной технике

Авторы

  • Ираида Алексеевна Кировская Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0001-5926-8376
  • Алла Владимировна Юрьева Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Алиса Олеговна Эккерт Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Илья Юрьевич Уманский Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Лев Васильевич Колесников Кемеровский государственный университет, г. Кемерово
  • Юрий Иванович Матяш Омский государственный университет путей сообщения, г. Омск
  • Сергей Александрович Корнеев Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0002-0554-5451

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-161-111-115

Ключевые слова:

полупроводники, свежеобразованная поверхность, ИК- спектры, механохимия, кислотно-основные свойства поверхностей, сенсоры- датчики

Аннотация

На основе результатов исследований, выполненных методами гидролитической адсорбции, механохимии, ИК-спектроскопии, квантово-химическим, прослежено за изменением поверхностной активности полупроводников типа
АIIIBV (GaAs, InAs, InSb, InP), экспонированных на воздухе, термовакуумированных, подвергнутых механохимическому диспергированию в воде, изопропиловом спирте. Показан слабокислый характер исходных поверхностей, за который ответственны преимущественно координационно-ненасыщенные атомы, повышенная активность свежеобразованных поверхностей; выявлен ряд промежуточных соединений, возникающих на реальных (частично гидратированных)
поверхностях полупроводников, а также в условиях адсорбции воды, адсорбции и каталитического разложения изопропилового спирта. Установлены обогащение свежеобразованных поверхностей координационно-ненасыщенными атомами и их явная определяющая роль как активных центров при адсорбции молекул типа Н2О, изо-С3Н7ОН, NH3, а также определенные закономерности в изменении активности поверхностей. Даны практические рекомендации по использованию изученных полупроводников в качестве материалов (активных элементов) газовых сенсоров-датчиков.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Ираида Алексеевна Кировская, Омский государственный технический университет, г. Омск

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Химическая технология и биотехнология»; руководитель научно-образовательного центра «Химические исследования» Омского государственного технического университета (ОмГТУ).

Алла Владимировна Юрьева, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат химических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Химическая технология и биотехнология»; научный сотрудник научно-образовательного центра «Химические исследования» ОмГТУ.

Алиса Олеговна Эккерт, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирантка кафедры «Химическая технология и биотехнология» ОмГТУ.

Илья Юрьевич Уманский, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирант кафедры «Химическая технология и биотехнология» ОмГТУ.

Лев Васильевич Колесников, Кемеровский государственный университет, г. Кемерово

доктор физико-математических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Экспериментальная физика» Кемеровского государственного университета.

Юрий Иванович Матяш, Омский государственный университет путей сообщения, г. Омск

доктор технических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Вагоны и вагонное хозяйство» Омского государственного университета путей сообщения.

Сергей Александрович Корнеев, Омский государственный технический университет, г. Омск

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Основы теории механики и автоматического управления» ОмГТУ.

Загрузки


Просмотров аннотации: 11

Опубликован

23.11.2018

Как цитировать

[1]
Кировская, И.А., Юрьева, А.В., Эккерт, А.О., Уманский, И.Ю., Колесников, Л.В., Матяш, Ю.И. и Корнеев, С.А. 2018. Исследование активности поверхности полупроводников типа АIIIBV. Возможности их использования в сенсорной технике. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 5(161) (ноя. 2018), 111–115. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-161-111-115.

Выпуск

№ 5(161) (2018)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa