Новые материалы — первичные преобразователи полупроводниковых сенсоров-датчиков на основе системы InAs-CdTe
DOI:
https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-171-74-79Ключевые слова:
новые материалы, твердые растворы, кристаллохимические, структурные, кислотно-основные свойства, взаимосвязанные закономерности изменений изученных свойств, прогнозы чувствительности поверхностей, сенсоры-датчики, практические рекомендации для сенсорной техникиАннотация
По методике, разработанной применительно к системе InAs-CdTe, с учетом ее диаграммы состояния и основных объемных физических, физико-химических свойств исходных бинарных соединений (InAs, CdTe), получены новые материалы — твердые растворы (InAs)х(CdTe)х–1. На основе результатов рентгенографических исследований в совокупности с результатами микро-, электронно-микроскопических исследований, полученные твердые растворы аттестованы как твердые растворы замещения с кубической структурой сфалерита. Изучены кислотно-основные свойства поверхностей компонентов системы InAs-CdTe: найдены значения водородного показателя изоэлектрического состояния — рНизо, свидетельствующие о принадлежности поверхностей к слабокислой области (рНизо < 7). Установлены взаимосвязанные закономерности в изменениях с составом изученных объемных и поверхностных свойств, соответственно, связь между ними. Высказаны прогнозы, подтвержденные экспериментально, о возможностях предварительной оценки характера концентрационной зависимости рНизо и о повышенной чувствительности поверхностей компонентов изучаемой системы к основным газам. Даны практические рекомендации по использованию полученных новых материалов в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси основных газов, в частности, аммиака.
Скачивания
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Лицензия
Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)