New materials based on InP-ZnS system for semiconductor gas analyzers

Authors

  • Ираида Алексеевна Кировская Omsk State Technical University, Omsk, Russia https://orcid.org/0000-0001-5926-8376
  • Роберт Владимирович Эккерт Omsk State Technical University, Omsk, Russia https://orcid.org/0000-0003-4358-3421
  • Алиса Олеговна Эккерт Omsk State Technical University, Omsk, Russia https://orcid.org/0000-0003-2452-1612
  • Елена Валерьевна Миронов Omsk State Technical University, Omsk, Russia
  • Илья Юрьевич Уманский Omsk State Technical University, Omsk, Russia
  • Денис Андреевич Блесман Omsk State Technical University, Omsk, Russia https://orcid.org/0000-0003-2837-3469
  • Денис Андреевич Полонянкин Omsk State Technical University, Omsk, Russia https://orcid.org/0000-0001-6799-3105
  • Лев Васильевич Колесников Kemerovo State University, Kemerovo, Russia
  • Екатерина Николаевна Копылова Omsk State Technical University, Omsk, Russia
  • Владимир Борисович Гончаров Federal Research Center Boreskov Institute of Catalysis Siberian Branch of Russian Academy of Science, Novosibirsk (SB of RAS), Russia https://orcid.org/0000-0003-4575-1310

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-164-56-61

Keywords:

solid solutions, advanced materials, new materials properties, consistent patterns and correlations, semiconductor gas analyzers

Abstract

According to the developed methodology, based on the isothermal diffusion of the initial binary compounds (InP, ZnS), their physical and physicochemical properties, solid solutions of different composition ((InP)x(ZnS)1-x) have been obtained. X-ray examinations have been conducted which allows to certify them as substitution solid solution with sphalerite structure and acid-base properties studies (pH isoelectric state — pHISO). The consistent patterns of changes in the composition of the studied (bulk and surface) properties, which are of predominantly smooth nature, have been established. A correlation between theoretical calculated crystal density and acid sites strength (pHISO) has been found which served as the basis for recommending a less labour-consuming way to search for the advanced materials for semiconductor gas analyzers.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Ираида Алексеевна Кировская, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Химическая технология»; руководитель научно-образовательного центра «Химические исследования» Омского государственного технического университета (ОмГТУ).

Роберт Владимирович Эккерт, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

аспирант кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Алиса Олеговна Эккерт, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

аспирантка кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Елена Валерьевна Миронов, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

кандидат химических наук, доцент кафедры «Химия» ОмГТУ.

Илья Юрьевич Уманский, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

аспирант кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Денис Андреевич Блесман, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

кандидат технических наук, доцент (Россия), заведующий кафедрой «Физика»; директор научно-образовательного ресурсного центра «Нанотехнологии» ОмГТУ.

Денис Андреевич Полонянкин, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

кандидат педагогических наук, доцент кафедры «Физика» ОмГТУ.

Лев Васильевич Колесников, Kemerovo State University, Kemerovo, Russia

доктор физико- математических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Экспериментальная физика» Кемеровского государственного университета.

Екатерина Николаевна Копылова, Omsk State Technical University, Omsk, Russia

аспирантка кафедры «Химическая технология» ОмГТУ.

Владимир Борисович Гончаров, Federal Research Center Boreskov Institute of Catalysis Siberian Branch of Russian Academy of Science, Novosibirsk (SB of RAS), Russia

доктор химических наук, ведущий научный сотрудник Федерального исследовательского центра Института катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск.

Downloads


Abstract views: 8

Published

2019-04-30

How to Cite

[1]
Кировская, И.А., Эккерт, Р.В., Эккерт, А.О., Миронов, Е.В., Уманский, И.Ю., Блесман, Д.А., Полонянкин, Д.А., Колесников, Л.В., Копылова, Е.Н. and Гончаров, В.Б. 2019. New materials based on InP-ZnS system for semiconductor gas analyzers. Omsk Scientific Bulletin. 2(164) (Apr. 2019), 56–61. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-164-56-61.

Issue

No. 2(164) (2019)

Section

Instrument Engineering, Metrology and Information-Measuring Devices and Systems

License

Non-exclusive rights to the article are transferred to the journal in full accordance with the Creative Commons License BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Worldwide License (CC BY-NC-SA 4.0»)

by-nc-sa

Similar Articles

You may also start an advanced similarity search for this article.