Примесный и фазовый состав поверхностей полупроводников типа АIIIBV — материалов для газовых сенсоров датчиков

Авторы

  • Ираида Алексеевна Кировская Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0001-5926-8376
  • Алла Владимировна Юрьева Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Полина Евгеньевна Нор Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0001-7539-7610
  • Роберт Владимирович Эккерт Омский государственный технический университет, г. Омск
  • Лев Васильевич Колесников Кемеровский государственный университет, г. Кемерово
  • Юрий Иванович Матяш Омский государственный университет путей сообщения, г. Омск
  • Сергей Александрович Корнеев Омский государственный технический университет, г. Омск https://orcid.org/0000-0002-0554-5451

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-161-106-110

Ключевые слова:

полупроводники АIIIBV, ИК-спектроскопические, масс- спектрометрические, квантово-химические исследования, примесный и фазовый состав поверхностей, сенсоры-датчики

Аннотация

Комплексно исследован химический состав исходных и различно обработанных поверхностей полупроводников типа АIIIBV — GaAs, InBV (InAs, InSb, InP). Исходные поверхности содержат преимущественно адсорбированные молекулы H2O, CO, CO2, кислорода, водорода, следы углерода и его водородных соединений, оксидную фазу. Высказаны соображения о составе оксидной фазы: она состоит преимущественно из оксидов атомов AIII. После термической вакуумной обработки (Т = 673 К, р ≈ 1,33•10–4 Па) поверхности полупроводников практически полностью освобождаются от адсорбированных примесей и в значительной степени от оксидной фазы. Остаточная оксидная фаза не экранирует активную поверхность, участвующую в адсорбционно-каталитических процессах.
Показано нарушение стехиометрии, особенно заметное после термической вакуумной обработки, обусловленное удалением атомов ВV с образованием их вакансий. Повышенная активность поверхностей изученных полупроводников по отношению к газам определенной электронной природы, обусловленная наличием вакансий (вакансионных дефектов) и остаточной оксидной фазы, является основанием рекомендовать их в качестве материалов для соответствующих сенсоров-датчиков.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Ираида Алексеевна Кировская, Омский государственный технический университет, г. Омск

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Химическая технология и биотехнология»; руководитель научно-образовательного центра «Химические исследования» Омского государственного технического университета (ОмГТУ).

Алла Владимировна Юрьева, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат химических наук, доцент (Россия), доцент кафедры «Химическая технология и биотехнология»; научный сотрудник научно-образовательного центра «Химические исследования» ОмГТУ.

Полина Евгеньевна Нор, Омский государственный технический университет, г. Омск

кандидат химических наук, доцент кафедры «Промышленная экология и безопасность»; научный сотрудник научно-образовательного центра «Химические исследования» ОмГТУ.

Роберт Владимирович Эккерт, Омский государственный технический университет, г. Омск

аспирант кафедры «Химическая технология и биотехнология» ОмГТУ.

Лев Васильевич Колесников, Кемеровский государственный университет, г. Кемерово

доктор физико-математических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Экспериментальная физика» Кемеровского государственного университета.

Юрий Иванович Матяш, Омский государственный университет путей сообщения, г. Омск

доктор технических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Вагоны и вагонное хозяйство» Омского государственного университета путей сообщения.

Сергей Александрович Корнеев, Омский государственный технический университет, г. Омск

доктор химических наук, профессор (Россия), профессор кафедры «Основы теории механики и автоматического управления» ОмГТУ.

Загрузки


Просмотров аннотации: 10

Опубликован

23.11.2018

Как цитировать

[1]
Кировская, И.А., Юрьева, А.В., Нор, П.Е., Эккерт, Р.В., Колесников, Л.В., Матяш, Ю.И. и Корнеев, С.А. 2018. Примесный и фазовый состав поверхностей полупроводников типа АIIIBV — материалов для газовых сенсоров датчиков. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 5(161) (ноя. 2018), 106–110. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-161-106-110.

Выпуск

№ 5(161) (2018)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa