Твердые растворы гетеросистемы InSb-ZnS — первичные преобразователи полупроводниковых сенсоров

Аннотация

С использованием специально разработанной методики получены твердые растворы полупроводниковых соединений типа AIIIBV (InSb), AIIBVI (ZnS) различного состава (InSb)x(ZnS)1-x. По результатам выполненных рентгенографических, микро-, электронно-микроскопических исследований полученные твердые растворы аттестованы как твердые растворы замещения с кубической структурой сфалерита, а также обогащены сведения о многокомпонентных алмазоподобных полупроводниках. Определен химический состав поверхностей твердых растворов и бинарных компонентов системы InSb-ZnS, экспонированных на воздухе и в высоковакуумных, высокотемпературных условиях. Согласно результатам исследований кислотно-основных свойств, поверхности экспонированных на воздухе компонентов системы InSb-ZnS относятся к слабокислой области (pHизо<7). Выказаны и подтверждены соображения о преобладающем относительном вкладе кислотных центров Льюиса и о повышенной активности поверхностей к основным газам. Установлены взаимосвязанные закономерности изменений с составом объемных и поверхностных свойств. Показана целесообразность их использования для менее трудоемкого поиска новых материалов сенсорной техники. Полученные твердые растворы, особенно с наименьшими pHизо, рекомендованы для изготовления сенсоров на микропримеси основных газов, в частности NH3.