Изучение процесса переноса заряда в системе «гемоглобин–электрод» на уровне индивидуальных молекул

Авторы

  • Надим Анварович Давлеткильдеев Омский научный центр СО РАН, г. Омск
  • Денис Витальевич Соколов Омский научный центр СО РАН, г. Омск
  • Екатерина Андреевна Зимбович Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск
  • Евгений Юрьевич Мосур Омский научный центр СО РАН, г. Омск
  • Иван Андреевич Лобов Омский научный центр СО РАН, г. Омск

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-159-71-74

Ключевые слова:

гемоглобин, проводящая атомно-силовая микроскопия, электронный транспорт, нерезонансное туннелирование

Аннотация

Методом проводящей атомно-силовой микроскопии исследован процесс переноса электронов через индивидуальную молекулу гемоглобина (Hb). Показано, что ток через молекулу Hb возникает при силе прижатия зонда 45 нН, при этом высота деформированной молекулы над подложкой, согласно полученным оценкам, составляет 4,5 нм. На основе анализа экспериментальных вольт-амперных характеристик контакта зонд/Hb/подложка с использованием транспортной модели нерезонансного туннелирования определены параметры туннельного электронного транспорта через индивидуальную молекулу Hb.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Надим Анварович Давлеткильдеев, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

кандидат физико-математических наук, доцент (Россия), старший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур Омского научного центра СО РАН (ОНЦ СО РАН).

Денис Витальевич Соколов, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

младший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур ОНЦ СО РАН.

Екатерина Андреевна Зимбович, Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск

магистрант гр. ФФМ-501-О-24 физического факультета Омского государственного университета им. Ф. М. Достоевского.

Евгений Юрьевич Мосур, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

кандидат физико-математических наук, доцент (Россия), старший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур ОНЦ СО РАН.

Иван Андреевич Лобов, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

инженер-технолог лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур ОНЦ СО РАН.

Загрузки


Просмотров аннотации: 10

Опубликован

04.07.2018

Как цитировать

[1]
Давлеткильдеев, Н.А., Соколов, Д.В., Зимбович, Е.А., Мосур, Е.Ю. и Лобов, И.А. 2018. Изучение процесса переноса заряда в системе «гемоглобин–электрод» на уровне индивидуальных молекул. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 3(159) (июл. 2018), 71–74. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-159-71-74.

Выпуск

№ 3(159) (2018)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa