Получение макропористых слоев на подложках n-Si в HF-содержащем электролите с добавлением HCl

Авторы

  • Валерий Викторович Болотов Омский научный центр СО РАН, г. Омск
  • Константин Евгеньевич Ивлев Омский научный центр СО РАН, г. Омск
  • Ирина Витальевна Пономарева Омский научный центр СО РАН, г. Омск

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-171-65-69

Ключевые слова:

пористый кремний, электрохимическое травление, электронная микроскопия

Аннотация

Добавление окисляющего агента в раствор плавиковой кислоты существенно изменяет процесс электрохимического травления, т.к. позволяет ускорить растворение электронного кремния. В данной работе исследованы процесс формирования и морфология макропор в высокоомном n-Si в зависимости от концентрации HCl в электролите HF:C2H5OH. Показано, что присутствие HCl приводит к более однородному распределению пор по диаметрам, как у поверхности, так и по глубине слоя, увеличению скорости травления. С ростом концентрации HCl наблюдается более узкое распределение пор по диаметрам, главные поры у поверхности приближаются по размерам к порам в глубине пористого слоя. Результаты объясняются действием HCl в качестве окислителя.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Валерий Викторович Болотов, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

доктор физико- математических наук, профессор (Россия), главный научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур.

Константин Евгеньевич Ивлев, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

младший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур.

Ирина Витальевна Пономарева, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур.

Загрузки


Просмотров аннотации: 4

Опубликован

30.06.2020

Как цитировать

[1]
Болотов, В.В., Ивлев, К.Е. и Пономарева, И.В. 2020. Получение макропористых слоев на подложках n-Si в HF-содержащем электролите с добавлением HCl. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 3(171) (июн. 2020), 65–69. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-171-65-69.

Выпуск

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы