Влияние дефектов типа вакансия с кислородом и адсорбированного кислорода на электронную структуру графеновой плоскости

Авторы

  • Виктор Анатольевич Сачков Омский научный центр СО РАН, г. Омск

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-172-98-101

Ключевые слова:

наносенсорика, углеродные нанотрубки, графен, зонная структура, точечные дефекты, «ab initio»

Аннотация

Работа посвящена изучению влияния на электронные свойства графеновой плоскости дефектов типа вакансия с присоединенным атомом кислорода адсорбированным кислородом, в зависимости от концентрации дефектов. Произведены численные расчеты методом «ab initio» для графеновой плоскости с дефектами зонной электронной структуры. Произведен анализ зависимости основных параметров зонной электронной структуры: ширины запрещенной зоны и подвижности свободных носителей зарядов в зависимости от концентрации и типа дефекта. Исследованы условия формирования запрещенной зоны в зонной структуре. Полученные результаты применимы для анализа зонной структуры одностенных углеродных трубок, содержащих дефекты.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биография автора

Виктор Анатольевич Сачков, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

кандидат физико- математических наук, старший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур.

Загрузки


Просмотров аннотации: 3

Опубликован

21.09.2020

Как цитировать

[1]
Сачков, В.А. 2020. Влияние дефектов типа вакансия с кислородом и адсорбированного кислорода на электронную структуру графеновой плоскости. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 4(172) (сен. 2020), 98–101. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-172-98-101.

Выпуск

№ 4(172) (2020)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa