Объединение дефектов типа вакансия в графеновой плоскости в кластеры и влияние вакансионных кластеров на морфологию и электронные свойства структуры

Авторы

  • Виктор Анатольевич Сачков Омский научный центр СО РАН, г. Омск

DOI:

https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-173-114-118

Ключевые слова:

наносенсорика, углеродные нанотрубки, графен, зонная структура, точечные дефекты, «ab initio»

Аннотация

Работа посвящена изучению влияния на морфологию и на электронные свойства графеновой плоскости дефектов типа вакансия в виде вакансионного кластера, в зависимости от величины кластера. Найдены оптимальные конфигурации расположения атомов углерода для графеновой плоскости с вакансионных кластеров. Для них рассчитана зонная электронная структура. Расчеты произведены методом «ab initio». Произведен анализ зависимости морфологии структуры и некоторых параметров электронной структуры от величины вакансионного кластера. Полученные результаты применимы для анализа зонной структуры одностенных углеродных трубок, содержащих дефекты типа вакансия.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биография автора

Виктор Анатольевич Сачков, Омский научный центр СО РАН, г. Омск

кандидат физико- математических наук, старший научный сотрудник лаборатории физики наноматериалов и гетероструктур.

Загрузки


Просмотров аннотации: 7

Опубликован

30.11.2020

Как цитировать

[1]
Сачков, В.А. 2020. Объединение дефектов типа вакансия в графеновой плоскости в кластеры и влияние вакансионных кластеров на морфологию и электронные свойства структуры. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 5(173) (ноя. 2020), 114–118. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2020-173-114-118.

Выпуск

№ 5(173) (2020)

Раздел

Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы

Лицензия

Неисключительные права на статью передаются журналу в полном соответствии с Лицензией Creative Commons BY-NC-SA 4.0 «Attribution-NonCommercial-ShareAlike» («Атрибуция-Некоммерчески-СохранениеУсловий») 4.0 Всемирная (CC BY-NC-SA 4.0)

by-nc-sa