Блесман АИ, Бурлаков РБ. Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОНВ [Интернет]. 18 январь 2019 г. [цитируется по 21 ноябрь 2024 г.];(6(162):164-8. доступно на: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/976