Блесман АИ, Бурлаков РБ. Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. ОНВ [Интернет]. 10 июнь 2019 г. [цитируется по 23 ноябрь 2024 г.];(3(165):78-83. доступно на: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/914