Блесман АИ, Бурлаков РБ, Полонянкин ДА. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОНВ [Интернет]. 4 октябрь 2019 г. [цитируется по 22 ноябрь 2024 г.];(4(166):61-5. доступно на: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/893