Блесман, Александр Иосифович, и Рудиарий Борисович Бурлаков. «Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, no. 6(162) (январь 18, 2019): 164–168. просмотрено ноябрь 21, 2024. https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/976.