Блесман, Александр Иосифович, и Рудиарий Борисович Бурлаков. «Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-N-GaAs с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, no. 3(165) (июнь 10, 2019): 78–83. просмотрено ноябрь 23, 2024. https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/914.