Блесман, Александр Иосифович, Рудиарий Борисович Бурлаков, и Денис Андреевич Полонянкин. «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, no. 4(166) (октябрь 4, 2019): 61–65. просмотрено ноябрь 22, 2024. https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/893.