Блесман, А. И., и Р. Б. Бурлаков. «Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, вып. 6(162), январь 2019 г., сс. 164-8, doi:10.25206/1813-8225-2018-162-164-168.