Блесман, А. И., и Р. Б. Бурлаков. «Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-N-GaAs с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, вып. 3(165), июнь 2019 г., сс. 78-83, doi:10.25206/1813-8225-2019-165-78-83.