Блесман, А. И., и Р. Б. Бурлаков. «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-N-GaAs с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, вып. 4(166), октябрь 2019 г., сс. 55-60, doi:10.25206/1813-8225-2019-166-55-60.