Блесман, А. И., Р. Б. Бурлаков, и Д. А. Полонянкин. «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, вып. 4(166), октябрь 2019 г., сс. 61-65, doi:10.25206/1813-8225-2019-166-61-65.