А. И. Блесман и Р. Б. Бурлаков, «Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки», ОНВ, вып. 3(165), сс. 78–83, июн. 2019.