А. И. Блесман, Р. Б. Бурлаков, и Д. А. Полонянкин, «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки», ОНВ, вып. 4(166), сс. 61–65, окт. 2019.