Блесман, А. И. и Бурлаков, Р. Б. (2019) «Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки», ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (6(162), сс. 164–168. doi: 10.25206/1813-8225-2018-162-164-168.