Блесман, А. И. и Бурлаков, Р. Б. (2019) «Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки», ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (3(165), сс. 78–83. doi: 10.25206/1813-8225-2019-165-78-83.