Блесман, А. И. и Бурлаков, Р. Б. (2019) «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки», ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (4(166), сс. 55–60. doi: 10.25206/1813-8225-2019-166-55-60.