Блесман, А. И., Бурлаков, Р. Б. и Полонянкин, Д. А. (2019) «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки», ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (4(166), сс. 61–65. doi: 10.25206/1813-8225-2019-166-61-65.