Блесман, Александр Иосифович, Рудиарий Борисович Бурлаков, и Денис Андреевич Полонянкин. 2019. «Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки». ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, вып. 4(166) (октябрь):61-65. https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-61-65.