БЛЕСМАН, А. И.; БУРЛАКОВ, Р. Б. Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, [S. l.], n. 6(162), p. 164–168, 2019. DOI: 10.25206/1813-8225-2018-162-164-168. Disponível em: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/976. Acesso em: 21 ноя. 2024.