БЛЕСМАН, А. И.; БУРЛАКОВ, Р. Б. Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, [S. l.], n. 3(165), p. 78–83, 2019. DOI: 10.25206/1813-8225-2019-165-78-83. Disponível em: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/914. Acesso em: 23 ноя. 2024.