БЛЕСМАН, А. И.; БУРЛАКОВ, Р. Б. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, [S. l.], n. 4(166), p. 55–60, 2019. DOI: 10.25206/1813-8225-2019-166-55-60. Disponível em: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/894. Acesso em: 23 ноя. 2024.