БЛЕСМАН, А. И.; БУРЛАКОВ, Р. Б.; ПОЛОНЯНКИН, Д. А. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, [S. l.], n. 4(166), p. 61–65, 2019. DOI: 10.25206/1813-8225-2019-166-61-65. Disponível em: https://journals.omgtu.ru/index.php/onv/article/view/893. Acesso em: 22 ноя. 2024.