Блесман, А. И., & Бурлаков, Р. Б. (2019). Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (6(162), 164–168. https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-162-164-168