Блесман, А. И., Бурлаков, Р. Б., & Полонянкин, Д. А. (2019). Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК, (4(166), 61–65. https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-61-65