Блесман, А. И.; Бурлаков, Р. Б.; Полонянкин, Д. А. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-P-Si и Ti-P-Si с барьером Шоттки. ОНВ 2019, 61-65.