Блесман, А.И. и Бурлаков, Р.Б. 2019. Способ изготовления фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 6(162) (янв. 2019), 164–168. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2018-162-164-168.