Блесман, А.И. и Бурлаков, Р.Б. 2019. Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 3(165) (июн. 2019), 78–83. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-165-78-83.