Блесман, А.И. и Бурлаков, Р.Б. 2019. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 4(166) (окт. 2019), 55–60. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-55-60.