Блесман, А.И., Бурлаков, Р.Б. и Полонянкин, Д.А. 2019. Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента, основанного на двух контактах Al-p-Si и Ti-p-Si с барьером Шоттки. ОМСКИЙ НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК. 4(166) (окт. 2019), 61–65. DOI:https://doi.org/10.25206/1813-8225-2019-166-61-65.